| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | IGBT |
| Voltaje colector-emisor | 650 V |
| Corriente máxima DC | 100 A |
| Corriente continua a 100°C | 60 A |
| Corriente pulsante | 180 A |
| Potencia máxima | 428 W |
| Voltaje Gate-Emitter | ±20 V |
| Temperatura máxima de unión | 175 °C |
| Encapsulado | TO-247 |
Igbt, Semiconductores

MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Ficha técnica
S/ 17.00 S/ 19.00





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