Semiconductores
Mostrando los 23 resultados
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Semiconductores, Transistores
2N3055 TRANSISTOR DE POTENCIA TIPO CHAPA
El 2N3055 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia montado en un encapsulado metálico TO-3 (TO-204AA), diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia de baja frecuencia (audio, reguladores lineales, salidas de amplificador, etc.).
Código: 2N3055 TRANSISTOR DE POTENCIA TIPO CHAPA -
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Semiconductores, Triac
BTA12-600V TRIAC 12A-600V/TO220
El BTA12-600B es un dispositivo semiconductor de potencia tipo TRIAC, diseñado para controlar corriente alterna (AC). Se usa ampliamente en reguladores de potencia, control de motores, dimmers de luz y equipos domésticos e industriales.
Código: BTA12-600V TRIAC 12A-600V TO220 -
Semiconductores, Triac
BTA24-600B TRIAC 24A-600V /TO220
El BTA24-600 es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El BTA24-600 es un estándar con aislamiento TRIAC de 3 pines para uso general de conmutación de CA y se puede utilizar como función ON / OFF.
Código: BTA24-600B TRIAC 24A-600V /TO220 -
Semiconductores, Triac, Uncategorized
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
- Corriente RMS de encendido (IT(RMS)): 40 A a 80 °C de recubrimiento
- Tensión máxima bloqueada (VDRM/VRRM): 600 V. También disponible en versión de 800 V
- Corriente de pico en impulso no repetitivo (ITSM): 400 A (20 ms, 50 Hz), hasta 420 A (16,7 ms, 60 Hz)
- Caída de tensión en conducción (VTM): típica de 1.55 V a 60 A pico (380 µs)
- Corriente de mantenimiento (IH): hasta 80 mA
- Corriente de disparo (IGT): máxima de 50 mA; voltaje de disparo (VGT) ≤ 1.3 V
Código: BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics -
Mosfet, Semiconductores
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Código: HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A - 80V | TO220A -
Igbt, Semiconductores, Uncategorized
IKW75N60 (K75T60) IGBT DE POTENCIA 75A- 600V TO247
El transistor IGBT K75T60 (modelo IKW75N60T) es un dispositivo semiconductor de tipo N-Channel diseñado para aplicaciones de potencia que requieren alta eficiencia y capacidad de conmutación.
Código: IKW75N60 (K75T60) IGBT DE POTENCIA 75A- 600V TO247 -
Igbt, Semiconductores
IRG4BC30KD INTERNATIONAL RECTIFIER IGBT TO220/ 28A-600V
- Tipo: IGBT con diodo antiparalelo integrado
- Tensión colector-emisor (Vce) máxima: 600 V
- Corriente continua de colector (Ic): aproximadamente 15 A
- Baja caída de voltaje en conducción
- Alta velocidad de conmutación
- Diodo rápido integrado (ideal para cargas inductivas)
- Encapsulado: TO-220AB
- Alta eficiencia en aplicaciones de switching
Código: IRG4BC30KD INTERNATIONAL RECTIFIER IGBT TO220/ 28A-600V -
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Mosfet, Semiconductores
K12A60W MOSFET 11.5A – 600V | TO220F
El K12A60W (también conocido comercialmente como TK12A60W) es un transistor MOSFET de canal N fabricado por Toshiba. Está diseñado para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia que requieren conmutación rápida.
Código: K12A60W MOSFET 11.5A - 600V | TO220F -
Mosfet, Semiconductores
K16A60W MOSFET 15.8A – 600V | TO220F
El K16A60W (cuyo número de parte completo suele ser TK16A60W) es un transistor MOSFET de potencia canal N. Funciona como un interruptor electrónico de alta velocidad y es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación, cargadores y placas de circuitos electrónicos industriales.
Código: K16A60W MOSFET 15.8A - 600V | TO220F -
Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
Igbt, Semiconductores
NGD8201AG IGBT TRANSISTOR AUTOMOTRIZ TO252
- TIPO DE DISPOSITIVO: IGBT CANAL N
- VOLTAJE-COLECTOR-EMISOR : 400V
- CORRIENTE CONTINUA: 20A
- POTENCIA MAXIMA: 125W
- ENCAPSULADO : TO252
- APLICACION TIPICA: AUTOMOTRIZ/CONTROL DE POTENCIA
- TEMPERATURA: -55 °C a +175 °
Código: NGD8201AG IGBT TRANSISTOR AUTOMOTRIZ TO252 -
Semiconductores, Tiristores, Uncategorized
SCR TYN1225 – TO220 25A 1200V
El TYN1225 es un tiristor de silicio controlado (SCR — Silicon Controlled Rectifier), un tipo de semiconductor que actúa como interruptor controlable para corrientes altas. Está diseñado para controlar corriente alterna (AC) y aplicaciones de potencia donde se requiere encendido/apagado controlado por una señal de puerta (gate).
Código: SCR TYN1225 - TO220 25A 1200V -
Mosfet, Semiconductores
STF13NM60N MOSFET 11A-600V | TO220F
El STF13NM60N es un transistor MOSFET de potencia tipo N-Channel fabricado por STMicroelectronics. Está diseñado principalmente para fuentes conmutadas de alta eficiencia, televisores, inversores y equipos industriales.
Código: STF13NM60N MOSFET 11A-600V | TO220F -
Semiconductores, Triac
TG35C60 TRIAC SanRex
- Tipo: TRIAC aislado en encapsulado moldeado, montaje tipo TO‑3 (chasis)
- Corriente RMS: 35A continuo
- Voltaje: 600V
- Corriente de disparo de puerta: ≤ 50 mA
- Alta capacidad de aislamiento, con V<sub>ISO</sub> = 2 500 VAC
- Temperatura de operación: –25 °C a +125 °C
Código: TG35C60 TRIAC SanRex -
Semiconductores, Transistores
TIP35CW TRANSISTOR NPN 25A-100V | STMicroelectronics
El TIP35CW es un transistor bipolar (BJT) de potencia NPN. Se utiliza comúnmente en circuitos electrónicos como amplificador de audio de alta potencia o como interruptor electrónico para controlar cargas pesadas (como motores o luces)
Código: TIP35CW TRANSISTOR NPN 25A-100V | STMicroelectronics -
Semiconductores, Transistores
TIP36CW TRANSISTOR PNP 25A-100V | STMicroelectronics
El TIP36CW es un transistor bipolar de potencia tipo PNP complementario del TIP35CW. Está diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, especialmente en amplificadores de audio y sistemas de control de potencia.
Código: TIP36CW TRANSISTOR PNP 25A-100V | STMicroelectronics
