MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
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Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
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Amplificadores de Audio, Circuitos Integrados
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
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Modelo: CS8509E
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Tipo: Amplificador de audio mono
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Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
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Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
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Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
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Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
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Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
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Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
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Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
Código: CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO -
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Semiconductores, Triac
TG35C60 TRIAC SanRex
- Tipo: TRIAC aislado en encapsulado moldeado, montaje tipo TO‑3 (chasis)
- Corriente RMS: 35A continuo
- Voltaje: 600V
- Corriente de disparo de puerta: ≤ 50 mA
- Alta capacidad de aislamiento, con V<sub>ISO</sub> = 2 500 VAC
- Temperatura de operación: –25 °C a +125 °C
Código: TG35C60 TRIAC SanRex -
Semiconductores, Triac, Uncategorized
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
- Corriente RMS de encendido (IT(RMS)): 40 A a 80 °C de recubrimiento
- Tensión máxima bloqueada (VDRM/VRRM): 600 V. También disponible en versión de 800 V
- Corriente de pico en impulso no repetitivo (ITSM): 400 A (20 ms, 50 Hz), hasta 420 A (16,7 ms, 60 Hz)
- Caída de tensión en conducción (VTM): típica de 1.55 V a 60 A pico (380 µs)
- Corriente de mantenimiento (IH): hasta 80 mA
- Corriente de disparo (IGT): máxima de 50 mA; voltaje de disparo (VGT) ≤ 1.3 V
Código: BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NOR independientes, cada una con dos entradas y una salida.
- La compuerta NOR produce una salida HIGH (1) solo si ambas entradas son LOW (0); en cualquier otro caso, la salida es LOW (0)
- Tensión de alimentación recomendada: 5 V (rango +4.75 V a +5.25 V); tolerancia de hasta 7 V en condiciones de máxima tolerancia
- Corrientes de salida:
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IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
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IOL (salida LOW): hasta 8 mA
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Corrientes de entrada:
-
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
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Corriente de alimentación (ICC):
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with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
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Código: 74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NAND independientes de dos entradas, con salidas de colector abierto
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Voltaje de alimentación (VCC): 4.75 – 5.25 V (típico), tolerancia hasta 5.5 V
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Corriente mínima requerida de pull-up externa: alrededor de 8 mA para garantizar niveles correctos.
Código: 74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Condensadores, Condensadores electrolíticos aluminio SMD
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
Código: 1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD -
Mosfet, Semiconductores
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Código: HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A - 80V | TO220A
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Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
Módulos BMS, Módulos Eléctricos y Sensores
MODULO DE CARGA BMS 3S 25A
- Número de Celdas: 3S (3 celdas en serie).
- Corriente Máxima: Hasta 25A para carga y descarga.
- Voltaje Nominal Total: 11.1V (3 x 3.7V por celda).
- Voltaje de Carga Completo: 12.6V (3 x 4.2V por celda).
- Voltaje de Descarga Mínimo: 9.0V (3 x 3.0V por celda).
- Protección: Contra sobrecarga, sobredescarga, cortocircuitos y sobrecalentamiento.
Código: MODULO DE CARGA BMS 3S 25A -
Mosfet, Semiconductores
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Código: HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A - 80V | TO220A -
Circuitos Integrados
TL494CN CONTROLADOR PWM 300KHz DIP-16
- Generador de señal PWM integrado
- Oscilador interno configurable mediante componentes externos (R y C)
- Dos amplificadores de error independientes
- Referencia interna de voltaje de 5 V con alta estabilidad
- Control de tiempo muerto (dead-time control) ajustable
- Salidas configurables en modo simple o push-pull
- Amplio rango de tensión de alimentación
- Bajo costo y alta disponibilidad
Código: TL494CN CONTROLADOR PWM 300KHz DIP-16 -
Semiconductores, Transistores
TIP35CW TRANSISTOR NPN 25A-100V | STMicroelectronics
El TIP35CW es un transistor bipolar (BJT) de potencia NPN. Se utiliza comúnmente en circuitos electrónicos como amplificador de audio de alta potencia o como interruptor electrónico para controlar cargas pesadas (como motores o luces)
Código: TIP35CW TRANSISTOR NPN 25A-100V | STMicroelectronics
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Circuitos Integrados
TL494CN CONTROLADOR PWM 300KHz SOIC-16
- Generador de señal PWM integrado
- Oscilador interno configurable mediante componentes externos (R y C)
- Dos amplificadores de error independientes
- Referencia interna de voltaje de 5 V con alta estabilidad
- Control de tiempo muerto (dead-time control) ajustable
- Salidas configurables en modo simple o push-pull
- Amplio rango de tensión de alimentación
- Bajo costo y alta disponibilidad
Código: TL494CN CONTROLADOR PWM 300KHz SOIC-16 -
Módulos BMS, Módulos Eléctricos y Sensores
MODULO DE CARGA BMS 4S 4A
- Corriente de carga: 4A
- Configuración: 4S (4 celdas en serie)
- Voltaje nominal: 14.8V (3.7V x 4)
- Voltaje máximo de carga: 16.8V (4.2V x 4)
- Tipo de batería: Li-Ion o Li-Po
- Protección: Sí, contra sobrecarga, sobredescarga, sobrecorriente y cortocircuito
- Tipo de conector: Pads de soldadura o terminales de tornillo para conexión segura
Código: MODULO DE CARGA BMS 4S 4A -
Semiconductores, Transistores
TIP36CW TRANSISTOR PNP 25A-100V | STMicroelectronics
El TIP36CW es un transistor bipolar de potencia tipo PNP complementario del TIP35CW. Está diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, especialmente en amplificadores de audio y sistemas de control de potencia.
Código: TIP36CW TRANSISTOR PNP 25A-100V | STMicroelectronics -
Circuitos Integrados
SG3524N CIRCUITO CONTROLADOR PWM 450KHz 8-40v DIP-16
- Generador PWM integrado
- Oscilador interno ajustable mediante resistencia y capacitor externos
- Referencia interna de 5 V de alta precisión
- Amplificador de error integrado
- Salidas duales en configuración push-pull
- Control de tiempo muerto (dead-time)
- Protección contra sobrecorriente (configurable externamente)
- Arranque suave (soft-start) mediante componentes externos
Código: SG3524N CIRCUITO CONTROLADOR PWM 450KHz 8-40v DIP-16 -
Módulos Eléctricos y Sensores, Programadores
PROGRAMADOR PICKIT 3
- Permite programar cualquier microcontrolador de las familias PIC16, PIC18, PIC24, dsPIC33F y PIC32 de Microchip
- Comunicación USB
- Lectura y escritura de memorias
- Compatible con MPLAB
- Depuración de PICs, dsPIC
Código: PROGRAMADOR PICKIT 3 -
Mosfet, Semiconductores
K12A60W MOSFET 11.5A – 600V | TO220F
El K12A60W (también conocido comercialmente como TK12A60W) es un transistor MOSFET de canal N fabricado por Toshiba. Está diseñado para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia que requieren conmutación rápida.
Código: K12A60W MOSFET 11.5A - 600V | TO220F
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Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
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Amplificadores de Audio, Circuitos Integrados
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
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Modelo: CS8509E
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Tipo: Amplificador de audio mono
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Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
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Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
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Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
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Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
-
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
-
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
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Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
Código: CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO -
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Semiconductores, Triac
TG35C60 TRIAC SanRex
- Tipo: TRIAC aislado en encapsulado moldeado, montaje tipo TO‑3 (chasis)
- Corriente RMS: 35A continuo
- Voltaje: 600V
- Corriente de disparo de puerta: ≤ 50 mA
- Alta capacidad de aislamiento, con V<sub>ISO</sub> = 2 500 VAC
- Temperatura de operación: –25 °C a +125 °C
Código: TG35C60 TRIAC SanRex -
Semiconductores, Triac, Uncategorized
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
- Corriente RMS de encendido (IT(RMS)): 40 A a 80 °C de recubrimiento
- Tensión máxima bloqueada (VDRM/VRRM): 600 V. También disponible en versión de 800 V
- Corriente de pico en impulso no repetitivo (ITSM): 400 A (20 ms, 50 Hz), hasta 420 A (16,7 ms, 60 Hz)
- Caída de tensión en conducción (VTM): típica de 1.55 V a 60 A pico (380 µs)
- Corriente de mantenimiento (IH): hasta 80 mA
- Corriente de disparo (IGT): máxima de 50 mA; voltaje de disparo (VGT) ≤ 1.3 V
Código: BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NOR independientes, cada una con dos entradas y una salida.
- La compuerta NOR produce una salida HIGH (1) solo si ambas entradas son LOW (0); en cualquier otro caso, la salida es LOW (0)
- Tensión de alimentación recomendada: 5 V (rango +4.75 V a +5.25 V); tolerancia de hasta 7 V en condiciones de máxima tolerancia
- Corrientes de salida:
-
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
-
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
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Corrientes de entrada:
-
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
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Corriente de alimentación (ICC):
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with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
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Código: 74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NAND independientes de dos entradas, con salidas de colector abierto
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Voltaje de alimentación (VCC): 4.75 – 5.25 V (típico), tolerancia hasta 5.5 V
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Corriente mínima requerida de pull-up externa: alrededor de 8 mA para garantizar niveles correctos.
Código: 74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Condensadores, Condensadores electrolíticos aluminio SMD
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
Código: 1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD -
Mosfet, Semiconductores
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Código: HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A - 80V | TO220A
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Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Laptops & Computers
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Smartphones & Tablets
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
