MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Catch Daily Deals!
Go to Daily Deals Section-
-
-
-
Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
-
-
Amplificadores de Audio, Circuitos Integrados
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
-
Modelo: CS8509E
-
Tipo: Amplificador de audio mono
-
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
-
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
-
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
-
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
-
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
-
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
-
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
Código: CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO -
-
Semiconductores, Triac
TG35C60 TRIAC SanRex
- Tipo: TRIAC aislado en encapsulado moldeado, montaje tipo TO‑3 (chasis)
- Corriente RMS: 35A continuo
- Voltaje: 600V
- Corriente de disparo de puerta: ≤ 50 mA
- Alta capacidad de aislamiento, con V<sub>ISO</sub> = 2 500 VAC
- Temperatura de operación: –25 °C a +125 °C
Código: TG35C60 TRIAC SanRex -
Semiconductores, Triac, Uncategorized
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
- Corriente RMS de encendido (IT(RMS)): 40 A a 80 °C de recubrimiento
- Tensión máxima bloqueada (VDRM/VRRM): 600 V. También disponible en versión de 800 V
- Corriente de pico en impulso no repetitivo (ITSM): 400 A (20 ms, 50 Hz), hasta 420 A (16,7 ms, 60 Hz)
- Caída de tensión en conducción (VTM): típica de 1.55 V a 60 A pico (380 µs)
- Corriente de mantenimiento (IH): hasta 80 mA
- Corriente de disparo (IGT): máxima de 50 mA; voltaje de disparo (VGT) ≤ 1.3 V
Código: BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NOR independientes, cada una con dos entradas y una salida.
- La compuerta NOR produce una salida HIGH (1) solo si ambas entradas son LOW (0); en cualquier otro caso, la salida es LOW (0)
- Tensión de alimentación recomendada: 5 V (rango +4.75 V a +5.25 V); tolerancia de hasta 7 V en condiciones de máxima tolerancia
- Corrientes de salida:
-
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
-
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
-
-
Corrientes de entrada:
-
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
-
-
Corriente de alimentación (ICC):
-
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
-
Código: 74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NAND independientes de dos entradas, con salidas de colector abierto
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Voltaje de alimentación (VCC): 4.75 – 5.25 V (típico), tolerancia hasta 5.5 V
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Corriente mínima requerida de pull-up externa: alrededor de 8 mA para garantizar niveles correctos.
Código: 74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Condensadores, Condensadores electrolíticos aluminio SMD
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
Código: 1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD -
Mosfet, Semiconductores
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Código: HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A - 80V | TO220A
-
-
Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
-
-
Módulos BMS, Módulos Eléctricos y Sensores
MODULO DE CARGA BMS 3S 25A
- Número de Celdas: 3S (3 celdas en serie).
- Corriente Máxima: Hasta 25A para carga y descarga.
- Voltaje Nominal Total: 11.1V (3 x 3.7V por celda).
- Voltaje de Carga Completo: 12.6V (3 x 4.2V por celda).
- Voltaje de Descarga Mínimo: 9.0V (3 x 3.0V por celda).
- Protección: Contra sobrecarga, sobredescarga, cortocircuitos y sobrecalentamiento.
Código: MODULO DE CARGA BMS 3S 25A -
Microcontroladores, Uncategorized
PIC18F4550-I/P MICROCONTROLADOR DIP-40
El PIC18F4550 es un microcontrolador de 8 bits de la familia PIC18 fabricado por Microchip Technology, ampliamente utilizado en proyectos de electrónica, sistemas embebidos y aplicaciones USB. Destaca por su versatilidad, bajo consumo, y su capacidad para manejar comunicación USB de forma nativa, lo que lo hace muy útil para desarrollar dispositivos conectables a PC.
Código: PIC18F4550-I/P MICROCONTROLADOR DIP-40 -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NOR independientes, cada una con dos entradas y una salida.
- La compuerta NOR produce una salida HIGH (1) solo si ambas entradas son LOW (0); en cualquier otro caso, la salida es LOW (0)
- Tensión de alimentación recomendada: 5 V (rango +4.75 V a +5.25 V); tolerancia de hasta 7 V en condiciones de máxima tolerancia
- Corrientes de salida:
-
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
-
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
-
-
Corrientes de entrada:
-
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
-
-
Corriente de alimentación (ICC):
-
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
-
Código: 74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
-
Microcontroladores
PIC12F675 MICROCONTROLADOR 8BIT CMOS 1K FLASH, ADC (10BIT)
- Rango de voltaje de funcionamiento: 2V a 5.5V
- Módulo ADC: 4 canales, 10 bits
- Tiempo de acceso: 20 us
- Módulo de temporizador: 8 bits/16 bits
- Oscilador interno: 4MHz
- Memoria del programa: 1.75 kb
- RAM: 64 bytes
- Frecuencia: 20 MHz
- Temperatura máxima de funcionamiento: 85°C
- Disipación de potencia máxima: 800MW
- Encapsulado: Dip-4
Código: PIC12F675 MICROCONTROLADOR 8BIT CMOS 1K FLASH, ADC (10BIT) -
Semiconductores, Triac
BTA24-600B TRIAC 24A-600V /TO220
El BTA24-600 es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El BTA24-600 es un estándar con aislamiento TRIAC de 3 pines para uso general de conmutación de CA y se puede utilizar como función ON / OFF.
Código: BTA24-600B TRIAC 24A-600V /TO220 -
Circuitos Integrados
UCC2893DR TEXAS INSTRUMENTS SOIC-16
El UCC2893DR es parte de la familia UCC2891/2/3/4, diseñada para facilitar la implementación de topologías de conversores con reset o clamp activo (active clamp/reset), como flyback con clamp, forward con clamp, etc. Está pensado para fuentes de alimentación aisladas o no aisladas con buen rendimiento, eficiencia, control de corriente, y regulación de voltaje.
Código: UCC2893DR TEXAS INSTRUMENTS SOIC-16 -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NAND independientes de dos entradas, con salidas de colector abierto
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Voltaje de alimentación (VCC): 4.75 – 5.25 V (típico), tolerancia hasta 5.5 V
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Corriente mínima requerida de pull-up externa: alrededor de 8 mA para garantizar niveles correctos.
Código: 74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
-
Módulos arduinos, Módulos Eléctricos y Sensores
ARDUINO UNO R3 CON CABLE COMPATIBLE
El Arduino Uno Rev3 es una de las placas de desarrollo más populares del mundo para electrónica, robótica, automatización y aprendizaje de programación embebida. Está basada en el microcontrolador ATmega328P y fue diseñada por la Arduino como una plataforma abierta (open-source).
Código: ARDUINO UNO R3 CON CABLE COMPATIBLE -
Amplificadores de Audio, Circuitos Integrados
LA4440 CIRCUITO INTEGRADO AMPLIFICADOR DE AUDIO
El LA 4440 es un amplificador de audio frecuencias; consta de 2 canales integrados (duales) que permiten su uso en estéreo y puente. En estéreo aporta una salida de 6 W cada canal mientras que en puente 19W. Está caracterizado por un número mínimo de piezas externas necesarias. Presenta baja distorsión en una amplia gama de frecuencias
Código: LA4440 CIRCUITO INTEGRADO AMPLIFICADOR DE AUDIO -
Reguladores de Voltaje
LTH7 CONTROLADOR DE CARGA
El LTH7 es un circuito integrado (IC) SMD de carga para baterías de litio de una celda, muy similar funcionalmente al popular TP4054/LTC4054. Está diseñado para cargar baterías Li-Ion o Li-Po de 3.7 V usando una alimentación USB de 5 V.
Código: LTH7 CONTROLADOR DE CARGA -
Condensadores, Condensadores electrolíticos aluminio SMD
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
Código: 1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD -
-
-
-
-
Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
-
-
Amplificadores de Audio, Circuitos Integrados
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
-
Modelo: CS8509E
-
Tipo: Amplificador de audio mono
-
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
-
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
-
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
-
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
-
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
-
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
-
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
Código: CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO -
-
Semiconductores, Triac
TG35C60 TRIAC SanRex
- Tipo: TRIAC aislado en encapsulado moldeado, montaje tipo TO‑3 (chasis)
- Corriente RMS: 35A continuo
- Voltaje: 600V
- Corriente de disparo de puerta: ≤ 50 mA
- Alta capacidad de aislamiento, con V<sub>ISO</sub> = 2 500 VAC
- Temperatura de operación: –25 °C a +125 °C
Código: TG35C60 TRIAC SanRex -
Semiconductores, Triac, Uncategorized
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
- Corriente RMS de encendido (IT(RMS)): 40 A a 80 °C de recubrimiento
- Tensión máxima bloqueada (VDRM/VRRM): 600 V. También disponible en versión de 800 V
- Corriente de pico en impulso no repetitivo (ITSM): 400 A (20 ms, 50 Hz), hasta 420 A (16,7 ms, 60 Hz)
- Caída de tensión en conducción (VTM): típica de 1.55 V a 60 A pico (380 µs)
- Corriente de mantenimiento (IH): hasta 80 mA
- Corriente de disparo (IGT): máxima de 50 mA; voltaje de disparo (VGT) ≤ 1.3 V
Código: BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NOR independientes, cada una con dos entradas y una salida.
- La compuerta NOR produce una salida HIGH (1) solo si ambas entradas son LOW (0); en cualquier otro caso, la salida es LOW (0)
- Tensión de alimentación recomendada: 5 V (rango +4.75 V a +5.25 V); tolerancia de hasta 7 V en condiciones de máxima tolerancia
- Corrientes de salida:
-
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
-
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
-
-
Corrientes de entrada:
-
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
-
-
Corriente de alimentación (ICC):
-
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
-
Código: 74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Circuitos Integrados, TTLS
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
- Contiene 4 compuertas NAND independientes de dos entradas, con salidas de colector abierto
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Voltaje de alimentación (VCC): 4.75 – 5.25 V (típico), tolerancia hasta 5.5 V
- Corriente de salida en saturación (IOL): hasta 8 mA
- Corriente mínima requerida de pull-up externa: alrededor de 8 mA para garantizar niveles correctos.
Código: 74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL -
Condensadores, Condensadores electrolíticos aluminio SMD
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
Código: 1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD -
Mosfet, Semiconductores
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Código: HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A - 80V | TO220A
Trending products
See All Trending productsMBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Laptops & Computers
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Smartphones & Tablets
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
Modelo: CS8509E
Tipo: Amplificador de audio mono
Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
TG35C60 TRIAC SanRex
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
74LS02 CIRCUITO INTEGRADO TTL
IOH (salida HIGH): ≈ –0.4 mA
IOL (salida LOW): hasta 8 mA
Corrientes de entrada:
IIH típica: ~20 µA; IIL: –0.4 mA
Corriente de alimentación (ICC):
with outputs HIGH: 1.6 – 3.2 mA; LOW: 2.8 – 5.4 mA
74LS01 CIRCUITO INTEGRADO TTL
1UF 50V CONDENSADOR ELECTROLITICO SMD
Capacitancia: 1 uF (tolerancia ± 20%)
Tensión: 50V
Diseño: SMD
Temperatura: de -25°C a 85°C (para una mayor duración recomendamos una temperatura de unos 20°C)
Tamaño: 4×5.4mm
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
