| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | MOSFET Canal N |
| Voltaje drenaje-source (VDS) | 600 V |
| Corriente máxima (ID) | 11.5 A |
| Corriente pulsante | 46 A |
| Potencia máxima | 35 W |
| RDS(on) típico | 0.265 Ω |
| Voltaje gate-source | ±30 V |
| Temperatura máxima | 150 °C |
| Encapsulado | TO-220SIS |
Mosfet, Semiconductores
K12A60W MOSFET 11.5A – 600V | TO220F
El K12A60W (también conocido comercialmente como TK12A60W) es un transistor MOSFET de canal N fabricado por Toshiba. Está diseñado para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia que requieren conmutación rápida.
S/ 5.00





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