HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Datasheet
S/ 8.00
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Tipo | MOSFET Canal N |
| Voltaje Drain-Source (VDS) | 80 V |
| Corriente máxima | 200 A |
| Corriente pulsante | 780 A |
| RDS(on) típico | 3.7 mΩ |
| Voltaje Gate-Source | ±20 V |
| Potencia máxima | 300 W |
| Encapsulado | TO-220 |
| Temperatura máxima | 175 °C |
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