Igbt, Semiconductores
IRG4BC30KD INTERNATIONAL RECTIFIER IGBT TO220/ 28A-600V
- Tipo: IGBT con diodo antiparalelo integrado
- Tensión colector-emisor (Vce) máxima: 600 V
- Corriente continua de colector (Ic): aproximadamente 15 A
- Baja caída de voltaje en conducción
- Alta velocidad de conmutación
- Diodo rápido integrado (ideal para cargas inductivas)
- Encapsulado: TO-220AB
- Alta eficiencia en aplicaciones de switching
S/ 13.00
El IRG4BC30KD es un transistor tipo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en sistemas de potencia. Combina las ventajas de los MOSFET (control por voltaje) y los transistores bipolares (alta capacidad de corriente), siendo ideal para aplicaciones industriales y electrónicas de media y alta potencia.
- Tipo: IGBT con diodo antiparalelo integrado
- Tensión colector-emisor (Vce) máxima: 600 V
- Corriente continua de colector (Ic): aproximadamente 15 A
- Baja caída de voltaje en conducción
- Alta velocidad de conmutación
- Diodo rápido integrado (ideal para cargas inductivas)
- Encapsulado: TO-220AB
- Alta eficiencia en aplicaciones de switching
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