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IKW75N60 (K75T60) IGBT DE POTENCIA 75A- 600V TO247
El transistor IGBT K75T60 (modelo IKW75N60T) es un dispositivo semiconductor de tipo N-Channel diseñado para aplicaciones de potencia que requieren alta eficiencia y capacidad de conmutación.
S/ 18.00
- Tipo: IGBT CanaL-N
- Tensión colector-emisor máxima (VCE): 600V
- Corriente máxima: 75A
- Temperatura máxima de unión: 175°C
- Corriente de pulso (ICM): ~150 A
- Voltaje puerta-emisor (VGE máx.)±20 V
- Velocidad de conmutación: Alta
- Protección contra cortocircuito: 5 µs
- Encapsulado: To247
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- Tipo: IGBT con diodo antiparalelo integrado
- Tensión colector-emisor (Vce) máxima: 600 V
- Corriente continua de colector (Ic): aproximadamente 15 A
- Baja caída de voltaje en conducción
- Alta velocidad de conmutación
- Diodo rápido integrado (ideal para cargas inductivas)
- Encapsulado: TO-220AB
- Alta eficiencia en aplicaciones de switching
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- Corriente RMS de encendido (IT(RMS)): 40 A a 80 °C de recubrimiento
- Tensión máxima bloqueada (VDRM/VRRM): 600 V. También disponible en versión de 800 V
- Corriente de pico en impulso no repetitivo (ITSM): 400 A (20 ms, 50 Hz), hasta 420 A (16,7 ms, 60 Hz)
- Caída de tensión en conducción (VTM): típica de 1.55 V a 60 A pico (380 µs)
- Corriente de mantenimiento (IH): hasta 80 mA
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