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MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
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Semiconductores, Triac
BTA12-600V TRIAC 12A-600V/TO220
El BTA12-600B es un dispositivo semiconductor de potencia tipo TRIAC, diseñado para controlar corriente alterna (AC). Se usa ampliamente en reguladores de potencia, control de motores, dimmers de luz y equipos domésticos e industriales.
Código: BTA12-600V TRIAC 12A-600V TO220 -
Semiconductores, Triac
BTA24-600B TRIAC 24A-600V /TO220
El BTA24-600 es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversión de la tensión o al disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El BTA24-600 es un estándar con aislamiento TRIAC de 3 pines para uso general de conmutación de CA y se puede utilizar como función ON / OFF.
Código: BTA24-600B TRIAC 24A-600V /TO220 -
Semiconductores, Triac, Uncategorized
BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics
- Corriente RMS de encendido (IT(RMS)): 40 A a 80 °C de recubrimiento
- Tensión máxima bloqueada (VDRM/VRRM): 600 V. También disponible en versión de 800 V
- Corriente de pico en impulso no repetitivo (ITSM): 400 A (20 ms, 50 Hz), hasta 420 A (16,7 ms, 60 Hz)
- Caída de tensión en conducción (VTM): típica de 1.55 V a 60 A pico (380 µs)
- Corriente de mantenimiento (IH): hasta 80 mA
- Corriente de disparo (IGT): máxima de 50 mA; voltaje de disparo (VGT) ≤ 1.3 V
Código: BTA40-600B TRIAC STMicroelectronics -
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Amplificadores de Audio, Circuitos Integrados
CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO
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Modelo: CS8509E
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Tipo: Amplificador de audio mono
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Voltaje de operación: 2V a 5.5V DC
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Potencia de salida: Hasta 3W (con altavoz de 4Ω y fuente adecuada)
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Impedancia recomendada del altavoz: 4Ω – 8Ω
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Formato: Encapsulado DIP (montaje a través de orificio)
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Bajo consumo: Ideal para dispositivos alimentados por batería
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Frecuencia de operación: Alta eficiencia con mínima distorsión
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Aplicaciones: Radios portátiles, sistemas de sonido DIY, altavoces Bluetooth caseros, proyectos educativos, módulos Arduino, etc.
Código: CS8509E AMPLIFICADOR DE AUDIO -
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Mosfet, Semiconductores
HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A – 80V | TO220A
El HY4008P es un MOSFET de canal N de alta corriente y baja resistencia, ideal para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Fabricado en un encapsulado TO-220 (plástico con aleta de disipación), este dispositivo es especialmente adecuado para su uso en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), drivers de motores, controladores de batería, inversores solares y aplicaciones industriales donde se requiere una alta capacidad de corriente y una baja resistencia de encendido.
Código: HY4008P MOSFET DE POTENCIA 200A - 80V | TO220A -
Igbt, Semiconductores, Uncategorized
IKW75N60 (K75T60) IGBT DE POTENCIA 75A- 600V TO247
El transistor IGBT K75T60 (modelo IKW75N60T) es un dispositivo semiconductor de tipo N-Channel diseñado para aplicaciones de potencia que requieren alta eficiencia y capacidad de conmutación.
Código: IKW75N60 (K75T60) IGBT DE POTENCIA 75A- 600V TO247 -
Igbt, Semiconductores
IRG4BC30KD INTERNATIONAL RECTIFIER IGBT TO220/ 28A-600V
- Tipo: IGBT con diodo antiparalelo integrado
- Tensión colector-emisor (Vce) máxima: 600 V
- Corriente continua de colector (Ic): aproximadamente 15 A
- Baja caída de voltaje en conducción
- Alta velocidad de conmutación
- Diodo rápido integrado (ideal para cargas inductivas)
- Encapsulado: TO-220AB
- Alta eficiencia en aplicaciones de switching
Código: IRG4BC30KD INTERNATIONAL RECTIFIER IGBT TO220/ 28A-600V -
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Mosfet, Semiconductores
K12A60W MOSFET 11.5A – 600V | TO220F
El K12A60W (también conocido comercialmente como TK12A60W) es un transistor MOSFET de canal N fabricado por Toshiba. Está diseñado para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia que requieren conmutación rápida.
Código: K12A60W MOSFET 11.5A - 600V | TO220F -
Mosfet, Semiconductores
K16A60W MOSFET 15.8A – 600V | TO220F
El K16A60W (cuyo número de parte completo suele ser TK16A60W) es un transistor MOSFET de potencia canal N. Funciona como un interruptor electrónico de alta velocidad y es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación, cargadores y placas de circuitos electrónicos industriales.
Código: K16A60W MOSFET 15.8A - 600V | TO220F -
Amplificadores de Audio, Circuitos Integrados
LA4440 CIRCUITO INTEGRADO AMPLIFICADOR DE AUDIO
El LA 4440 es un amplificador de audio frecuencias; consta de 2 canales integrados (duales) que permiten su uso en estéreo y puente. En estéreo aporta una salida de 6 W cada canal mientras que en puente 19W. Está caracterizado por un número mínimo de piezas externas necesarias. Presenta baja distorsión en una amplia gama de frecuencias
Código: LA4440 CIRCUITO INTEGRADO AMPLIFICADOR DE AUDIO -
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Reguladores de Voltaje
LTH7 CONTROLADOR DE CARGA
El LTH7 es un circuito integrado (IC) SMD de carga para baterías de litio de una celda, muy similar funcionalmente al popular TP4054/LTC4054. Está diseñado para cargar baterías Li-Ion o Li-Po de 3.7 V usando una alimentación USB de 5 V.
Código: LTH7 CONTROLADOR DE CARGA -
Igbt, Semiconductores
MBQ60T65PES IGBT 60A – 650V | TO247
Es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Es utilizado como interruptor para controlar circuitos de electrónica de potencia para tener un buen rendimiento óptico para aplicaciones de calentamiento por inducción UPS, SMPS y PFC donde son esenciales las bajas pérdidas de conducción y de conmutación.
Código: MBQ60T65PES SEMICONDUCTOR IGBT MAGNACHIP ORIGINAL -
Módulos BMS, Módulos Eléctricos y Sensores
MODULO DE CARGA BMS 2S 10A
- Cargador BMS 18650 2 Celdas
- Tamaño: 47 x 24 x 3.2mm
- Máxima Corriente de Operación: 10A
- Voltaje de carga: 7.4V ~ 8.4V
- Máximo Peak de Corriente: 20A
- Posee Protección Contra Sobrecarga, Sobre-Descarga y Cortocircuito
- Precio incluye IGV
Código: MODULO DE CARGA BMS 2S 10A -
Módulos BMS, Módulos Eléctricos y Sensores
MODULO DE CARGA BMS 3S 25A
- Número de Celdas: 3S (3 celdas en serie).
- Corriente Máxima: Hasta 25A para carga y descarga.
- Voltaje Nominal Total: 11.1V (3 x 3.7V por celda).
- Voltaje de Carga Completo: 12.6V (3 x 4.2V por celda).
- Voltaje de Descarga Mínimo: 9.0V (3 x 3.0V por celda).
- Protección: Contra sobrecarga, sobredescarga, cortocircuitos y sobrecalentamiento.
Código: MODULO DE CARGA BMS 3S 25A -
Módulos BMS, Módulos Eléctricos y Sensores
MODULO DE CARGA BMS 4S 4A
- Corriente de carga: 4A
- Configuración: 4S (4 celdas en serie)
- Voltaje nominal: 14.8V (3.7V x 4)
- Voltaje máximo de carga: 16.8V (4.2V x 4)
- Tipo de batería: Li-Ion o Li-Po
- Protección: Sí, contra sobrecarga, sobredescarga, sobrecorriente y cortocircuito
- Tipo de conector: Pads de soldadura o terminales de tornillo para conexión segura
Código: MODULO DE CARGA BMS 4S 4A -
Igbt, Semiconductores
NGD8201AG IGBT TRANSISTOR AUTOMOTRIZ TO252
- TIPO DE DISPOSITIVO: IGBT CANAL N
- VOLTAJE-COLECTOR-EMISOR : 400V
- CORRIENTE CONTINUA: 20A
- POTENCIA MAXIMA: 125W
- ENCAPSULADO : TO252
- APLICACION TIPICA: AUTOMOTRIZ/CONTROL DE POTENCIA
- TEMPERATURA: -55 °C a +175 °
Código: NGD8201AG IGBT TRANSISTOR AUTOMOTRIZ TO252
